Propriétés Optiques et Electroniques de GaAsN, GaAsSb et GaAsNSb - Ben Sedrine, Nebiha
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L objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l analyse de l effet d incorporation des atomes d azote et d antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d ellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de l arsenic dans GaAs avec de l azote et/ou avec l antimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent…mehr

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Produktbeschreibung
L objectif de ce travail est la détermination des indices complexes, des fonctions diélectriques inconnues ainsi que l analyse de l effet d incorporation des atomes d azote et d antimoine dans les couches minces de GaAsN, GaAsSb et GaAsSbN, élaborées par la technique d épitaxie par jets moléculaires (MBE), en utilisant la technique d ellipsométrie spectroscopique. Ces alliages semiconducteurs, basés sur la substitution de l arsenic dans GaAs avec de l azote et/ou avec l antimoine, ayant une énergie de bande interdite plus faible que celle du GaAs, et des propriétés optiques qui dépendent fortement de la composition d alliage ainsi que de l état de contrainte, présentent un grand intérêt dans le domaine de l optoélectronique. L analyse des résultats ellipsométriques par l utilisation du modèle standard des points critiques (SCP) et du modèle de la fonction diélectrique d Adachi (MDF) pour la paramétrisation de la fonction diélectrique de l alliage nous ont permis de déterminer avec une grande précision les paramètres des points critiques dans les différentes directions cristallographiques.
Autorenporträt
Dr Nebiha Ben Sedrine est née à Tunis (Tunisie) et a obtenu son diplome de Doctorat en Physique Quantique en 2009. Son principal travail de recherche dans le domaine des sciences de matériaux porte sur les études structurales, optiques et électroniques de semiconducteurs III-V (avec nitrures et bismides), groupe III-N, TiO2, Si poreux et graphene.