40,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
payback
20 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Mikroälektronnaq promyshlennost' pereshla k rezhimu nanorazmerow, kotoryj obespechil nizkuü moschnost' i wysokuü skorost' pereklücheniq w älektronnyh shemah. Soglasno mezhdunarodnoj tehnologicheskoj dorozhnoj karte dlq poluprowodnikow ITRS-2020, segodnqshnqq tehnologiq dostigla razmera sub-10 nm i dwizhetsq w naprawlenii 5.6 nm. Dlq togo, chtoby podderzhiwat' snizhenie masshtaba, neobhodimo ne tol'ko razrabotat' nowye arhitektury ustrojstw, no i mozhet potrebowat'sq zamena kremniq. Korporaciq Intel razrabotala tranzistornye ustrojstwa na baze treh zatworow s dlinoj zatwora 14 nm.…mehr

Produktbeschreibung
Mikroälektronnaq promyshlennost' pereshla k rezhimu nanorazmerow, kotoryj obespechil nizkuü moschnost' i wysokuü skorost' pereklücheniq w älektronnyh shemah. Soglasno mezhdunarodnoj tehnologicheskoj dorozhnoj karte dlq poluprowodnikow ITRS-2020, segodnqshnqq tehnologiq dostigla razmera sub-10 nm i dwizhetsq w naprawlenii 5.6 nm. Dlq togo, chtoby podderzhiwat' snizhenie masshtaba, neobhodimo ne tol'ko razrabotat' nowye arhitektury ustrojstw, no i mozhet potrebowat'sq zamena kremniq. Korporaciq Intel razrabotala tranzistornye ustrojstwa na baze treh zatworow s dlinoj zatwora 14 nm. Mnogozatwornye tranzistory FET i tranzistornye struktury Nanowire podhodqt dlq uzlow s dlinoj zatwora menee 14 nm. Tem ne menee, izucheny wozmozhnosti wertikal'nyh Nanowire, razrabotannyh s ispol'zowaniem sostawnyh materialow III-V, wysokö oxidnyh materialow zatwora i metallicheskih zatworow s uluchshennymi äxpluatacionnymi harakteristikami.
Autorenporträt
Subha Subramaniam ha realizado una contribución única en los amplios desarrollos técnicos del campo de la nanoelectrónica. En más de 20 años de docencia, ha sido profesora asociada y ha impartido varias asignaturas en el campo de la electrónica. Actualmente está afiliada al Shah and Anchor Kutchhi Engineering College, Mumbai, INDIA.