Wang, L: QUANTUM MECHANICAL EFFECTS ON MOSFET SCALINGLIMIT
-
- Englisch ausgewählt
59,99 €
UVP
68,00 €
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Verlag
VDMSeitenzahl
196
Maße (L/B/H)
22/15/1 cm
Gewicht
277 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-8364-6183-2
scaled, it approaches a point where classical physics
is insufficient to explain the behavior of a MOSFET.
At this classical physics limit, a quantum mechanical
model becomes necessary to provide thorough
assessment of the device performance and scaling.
This book describes advanced modeling of nanoscale
bulk MOSFETs incorporating critical quantum
mechanical effects such as gate direct tunneling and
energy quantization of carriers.
The models derived here are used to project MOSFET
scaling limits. These limits of bulk MOSFETs are
predicted according to various criteria, including
circuit power and delay, device leakage current and
the system uniformity requirement. Tunneling and
quantization effects cause large power dissipation,
low drive current, and strong sensitivities to
process variation, which greatly limit CMOS scaling.
Developing new materials and structures is imminent
to extend the scaling process.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.
Kurze Frage zu unserer Seite
Vielen Dank für dein Feedback
Wir nutzen dein Feedback, um unsere Produktseiten zu verbessern. Bitte habe Verständnis, dass wir dir keine Rückmeldung geben können. Falls du Kontakt mit uns aufnehmen möchtest, kannst du dich aber gerne an unseren Kund*innenservice wenden.
zum Kundenservice