V knige predstavleny rezul'taty issledovaniya vliyaniya oblucheniya bystrymi nejtronami i gamma-kvantami na svetotehnicheskie i jelektrofizicheskie harakteristiki svetodiodov na osnove geterostruktur AlGaInP s mnozhestvennymi kvantovymi yamami. Predlozhena mnogostupenchataya model', pozvolyajushhaya opisat' izmeneniya moshhnosti izlucheniya svetodiodov v rezul'tate vozdejstviya ionizirujushhego izlucheniya. Razrabotannaya model' pozvolyaet prognozirovat' stojkost' svetodiodov k vozdejstviju ionizirujushhego izlucheniya. Kniga prednaznachena dlya nauchnyh rabotnikov, aspirantov, razrabotchikov priborov i specialistov, zanimajushhihsya issledovaniyami radiacionnyh povrezhdenij v poluprovodnikah i poluprovodnikovyh priborah. Ona mozhet byt' polezna studentam starshih kursov VUZov, specializirujushhihsya v oblasti fiziki poluprovodnikov i poluprovodnikovyh priborov.