Kniga posvyashchena izlozheniyu osnov teoreticheskogo opisaniya protsessov vnutri- i mezhdolinnogo rasseyaniya elektronov na dlinnovolnovykh i korotkovolnovykh fononakh v poluprovodnikovykh sverkhreshetkakh (GaAs)m(AlAs)n(001). Rezul'taty polucheny s primeneniem pervoprintsipnykh i fenomenologicheskikh metodov issledovaniya elektronnykh i fononnykh sostoyaniy. Osnovnoe vnimanie udeleno vyyasneniyu vliyaniya kvantovo-razmernykh effektov na veroyatnosti elektronnykh perekhodov v nizhnikh zonakh provodimosti sverkhreshetok. Ustanovleny osobennosti elektronnogo, fononnogo spektrov i mekhanizmov elektron-fononnogo vzaimodeystviya v sverkhreshetkakh po sravneniyu s ikh binarnymi komponentami. Vpervye polucheny mezhdolinnye deformatsionnye potentsialy dlya vsekh intensivnykh kanalov rasseyaniya elektronov na fononakh v sverkhreshetkakh s raznoy tolshchinoy sloev. Kniga prednaznachena dlya spetsialistov v oblasti modelirovaniya opticheskikh i transportnykh svoystv nanomaterialov, prepodavateley i studentov.