Viktor Martovitskiy

Rentgenovskaya difraktometriya napryazhennykh nanostruktur

Vysokotemperaturnye sverkhprovodniki, sistemy Si(001)\SiGe, GaAs(001)\ZnCdSe, GaAs(001)\GaInAs

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

V uchebnom posobii rassmatrivaetsya kompleksnoe primenenie standartnykh i spetsial'no razrabotannykh metodik, realizuemykh na difraktometre Panalitical X Pert Pro MRD, dlya vyyavleniya slabykh strukturnykh iskazheniy v napryazhennykh nanostrukturakh, okazyvayushchikh zametnoe vliyanie na ikh svoystva. Privedena lineynaya zavisimost' mezhdu parametrami modulirovannoy sverkhreshetki i znacheniem Ts v monokristallakh Bi-Sr-Cu-O, yavlyayushchayasya sledstviem ob"edineniya v edinuyu strukturu dvukh razlichnykh strukturnykh blokov. Opisano neskol'ko nepryamykh metodik vyyavleniya povyshennoy neravnovesnoy kontsentratsii vakansiy v kvantovykh yamakh (KYa) SiGe i poslerostovoy diffuzii v kvantovykh tochkakh Ge(Si). Dlya napryazhennykh periodicheskikh struktur s KYa ZnCdSe ili GaInAs privedeny metodiki obnaruzheniya diffuzionnogo razmytiya nizhnikh periodov struktury za vremya rosta verkhnikh periodov, a takzhe chastichnogo razlozheniya sostava. bar'ernykh sloev pri diffuzii v nikh komponentov iz KYa. Rabota prednaznachena dlya studentov i aspirantov, interesuyushchikhsya problemami materialovedeniya napryazhennykh nanostruktur vblizi predela ikh ustoychivosti. Ona mozhet byt' polezna i praktikuyushchim materialovedam, zanimayushchimsya strukturnoy diagnostikoy epitaksial'nykh struktur

Produktdetails

• Verlag: Palmarium Academic Publishing
• Seitenzahl: 212
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm
• ISBN-13: 9783847394891
• ISBN-10: 3847394894
• Artikelnr.: 40839626

Autorenporträt

Avtor rabotaet v Fizicheskom institute im. P.N. Lebedeva Rossiyskoy akademii nauk s 1974 goda v kachestve vedushchego spetsialista po rentgenodifraktometricheskomu issledovaniyu monokristallov i epitaksial'nykh struktur poluprovodnikov i vysokotemperaturnykh sverkhprovodnikov.