Régulateur de tension CMOS pour amplificateurs RFIC bas voltage - Ayissi Eyebe, Guy
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Les régulateurs de tension CMOS destinés aux amplificateurs de type RFIC GaAs HBT fonctionnent dans des conditions particulières. Avec un faible courant et une basse tension d'alimentation, ils doivent fournir de forts courants, tout en restant insensibles aux perturbations RF. La structure "Recycled Folded-Cascode" (RFC) permet un fonctionnement à basse tension acceptable. Certaines améliorations étaient nécessaires pour qu'elle réponde à cette problématique. Alimentée à 1.8V, son courant de polarisation a été ramené de 800 miA à 135 miA, et un buffer a été rajouté. La structure RFC ainsi…mehr

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Produktbeschreibung
Les régulateurs de tension CMOS destinés aux amplificateurs de type RFIC GaAs HBT fonctionnent dans des conditions particulières. Avec un faible courant et une basse tension d'alimentation, ils doivent fournir de forts courants, tout en restant insensibles aux perturbations RF. La structure "Recycled Folded-Cascode" (RFC) permet un fonctionnement à basse tension acceptable. Certaines améliorations étaient nécessaires pour qu'elle réponde à cette problématique. Alimentée à 1.8V, son courant de polarisation a été ramené de 800 miA à 135 miA, et un buffer a été rajouté. La structure RFC ainsi améliorée a été utilisée en rétraction, pour réguler à 1.4V la tension d'entrée d'une charge émulant un transistor GaAs HBT. Les effets de l'infiltration RF dans les circuits de polarisation ont été étudiés à travers une bobine séparant ces deux circuits. La technique de désensibilisation proposée permet de réduire l'inductance d'isolation à 6 nH. Elle permet également de réduire la chute de tension de sortie par 100 mV avec un courant de 20 mA dans la charge, afin de retrouver une régulation à 97%. Cette recherche tient compte d'un signal RF de 1.88 GHz, avec une puissance disponible de 20 dBm.
Autorenporträt
Guy Ayissi Eyebe est Camerounais, titulaire d'une maîtrise en génie électrique de l'école de technologie supérieure de Montréal en 2012 et d'un doctorat PhD de l'université du Québec à Trois-Rivières en 2018. Il possède une expérience industrielle en électronique et radiofréquences.