29,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
  • Broschiertes Buch

Il rivestimento ceramico viene utilizzato per ridurre l'attrito e la corrosione tra i materiali. Tuttavia, hanno basse proprietà di durezza superficiale e di resistenza all'usura. L'uso di YSZ nanostrutturato rappresenta un'alternativa per migliorare le prestazioni di questi rivestimenti. In questo studio, la lega di alluminio 2024 T351 è stata scelta per rivestire l'YSZ (Yttria Stabilized Zirconia) utilizzando la tecnica EB - PVD (Electron Beam Physical Evaporation Method). In questo esperimento, il 90% di zirconia è stato miscelato con il 10% di ittrio per rivestire il materiale a 2400oC.…mehr

Produktbeschreibung
Il rivestimento ceramico viene utilizzato per ridurre l'attrito e la corrosione tra i materiali. Tuttavia, hanno basse proprietà di durezza superficiale e di resistenza all'usura. L'uso di YSZ nanostrutturato rappresenta un'alternativa per migliorare le prestazioni di questi rivestimenti. In questo studio, la lega di alluminio 2024 T351 è stata scelta per rivestire l'YSZ (Yttria Stabilized Zirconia) utilizzando la tecnica EB - PVD (Electron Beam Physical Evaporation Method). In questo esperimento, il 90% di zirconia è stato miscelato con il 10% di ittrio per rivestire il materiale a 2400oC. Sono stati depositati diversi spessori di rivestimento di 1µm e 5µm alla temperatura di deposizione di 4000C e 5000C rispettivamente. Le microstrutture del rivestimento sono state analizzate mediante SEM, XRD, AFM e le proprietà meccaniche mediante test di microdurezza e rugosità superficiale. Il risultato ha osservato una finitura superficiale molto fine e granulare, evitando la contaminazione dalle immagini SEM e la morfologia della superficie rivestita mostra che le particelle sono uniformemente distribuite sulla lega di alluminio. I risultati della XRD mostrano che quando la temperatura di deposizione aumenta, le dimensioni dei cristalliti di YSZ aumentano, incrementando ulteriormente i valori di durezza.
Autorenporträt
Dr. S. GANESAN wurde in Chettikulan, Tuticorin Dist, Tamil Nadu, geboren und schloss sein Studium an der GCT als BE und an der Anna University als ME ab. Zurzeit arbeitet er als Professor am Sathyabama Institute of Science and Technology, Chennai. Er verfügt über 20 Jahre Erfahrung in Lehre und Forschung. Er hat 160 Artikel in verschiedenen renommierten Zeitschriften veröffentlicht.