Andere Kunden interessierten sich auch für
![Croissance et caractérisation des cristaux]( "Croissance et caractérisation des cristaux")
Croissance et caractérisation des cristaux32,99 €![Kristallwachstum und -charakterisierung]( "Kristallwachstum und -charakterisierung")
Kristallwachstum und -charakterisierung43,90 €![Crescita e caratterizzazione dei cristalli]( "Crescita e caratterizzazione dei cristalli")
Crescita e caratterizzazione dei cristalli32,99 €![Bioprocesado textil con gel de aloe]( "Bioprocesado textil con gel de aloe")
Bioprocesado textil con gel de aloe33,99 €![Une méthode efficace pour stabiliser les condensats de gaz]( "Une méthode efficace pour stabiliser les condensats de gaz")
Une méthode efficace pour stabiliser les condensats de gaz32,99 €![Mejorar la seguridad de la historia clínica personal]( "Mejorar la seguridad de la historia clínica personal")
Mejorar la seguridad de la historia clínica personal40,99 €![Un metodo efficace per stabilizzare il condensato di gas]( "Un metodo efficace per stabilizzare il condensato di gas")
Un metodo efficace per stabilizzare il condensato di gas32,99 €
Rost odnogo poluprowodnika na drugom izwesten kak process geteroäpitaxii, kotoryj pozwolil sozdat' shirokij spektr tak nazywaemyh geteroäpitaxial'nyh priborow, takih kak swetoizluchaüschie diody wysokoj qrkosti, lazery i wysokochastotnye tranzistory. Razrabotka ustrojstw s ispol'zowaniem drugih materialow osnowana na wybore podlozhki i predstawlena kombinaciej äpitaxial'nyj sloj/podlozhka. Takoe sochetanie s pomosch'ü processa rosta trebuet realizacii maximal'noj himicheskoj i kristallograficheskoj sowmestimosti, pri kotoroj kristallograficheskaq orientaciq sloq tochno opredelqetsq kristallom podlozhki. Struktura powerhnosti kristalla-podlozhki mozhet okazywat' wazhnoe wliqnie na swojstwa äpitaxial'nogo kristalla. S drugoj storony, gomoäpitaxiq - äto drugoj process, otlichaüschijsq ot geteroäpitaxii, esli podlozhka i sloj imeüt odinakowyj himicheskij sostaw, my goworim o gomoäpitaxii, naprimer, GaAs/GaAs, i goworim o geteroäpitaxii, esli sloj/podlozhka imeüt raznyj himicheskij sostaw, naprimer, InP/GaAs. Jeti materialy ispol'zuütsq dlq proizwodstwa swetodiodow wysokogo kachestwa i tranzistorow s wysokoj podwizhnost'ü.