Uchebnoe posobie prednaznacheno dlya magistrantov napravleniya podgotovki "Jelektronika i nanojelektronika", "Prikladnaya matematika i informatika" i aspirantov, specializirujushhihsya v oblasti tehnologij integral'noj jelektroniki i matematicheskogo modelirovaniya tehnologicheskih processov mikro- i nanojelektroniki. V uchebnom posobii podrobno rassmotreny metody postroeniya matematicheskih modelej jerozii poverhnosti tverdyh tel pri ionnom raspylenii, osnovannye na podhodah P. Zigmunda. Privedeny tri osnovnye modeli jerozii poverhnosti i issledovany ih sostoyaniya ravnovesiya. Na primere jetih modelej pokazano, kak pri potere ustojchivosti sostoyanij ravnovesiya proishodit formirovanie prostranstvenno-neodnorodnogo rel'efa, v tom chisle i volnoobraznogo nanorel'efa.