Silicio poroso
29,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in über 4 Wochen
  • Broschiertes Buch

En nuestro trabajo nos interesaba estudiar el fenómeno de transformación de las capas de silicio monocristalino en silicio nanoestructurado. Se cultivaron varias muestras de silicio poroso mediante anodización electroquímica sobre sustratos de Si (100) tipo P y Si (100) tipo N, variando algunos parámetros experimentales como la intensidad de corriente y el tiempo de anodización y la composición del electrolito. Para llevar a cabo nuestro trabajo, hemos caracterizado las propiedades de las capas mediante diferentes métodos de caracterización morfológica, estructural y optoelectrónica: SEM,…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
En nuestro trabajo nos interesaba estudiar el fenómeno de transformación de las capas de silicio monocristalino en silicio nanoestructurado. Se cultivaron varias muestras de silicio poroso mediante anodización electroquímica sobre sustratos de Si (100) tipo P y Si (100) tipo N, variando algunos parámetros experimentales como la intensidad de corriente y el tiempo de anodización y la composición del electrolito. Para llevar a cabo nuestro trabajo, hemos caracterizado las propiedades de las capas mediante diferentes métodos de caracterización morfológica, estructural y optoelectrónica: SEM, fotoluminiscencia (PL), infrarrojo (FTIR), elipsometría ES y medidas de reflectancia. Los resultados de los análisis permitieron poner de manifiesto la influencia de los parámetros de anodización y, en particular, la intensidad de la corriente y la duración de la anodización. El cálculo de la porosidad de las capas nanoestructuradas nos da una variación de esta última que va del 45 al 80%. Mediante una elección acertada de los parámetros experimentales es posible controlar el tamaño de las nanoestructuras y la porosidad de las muestras elaboradas.
Autorenporträt
RAHMOUNI SALAH é um professor da classe "A", e chefe de departamento na ENSET de Skikda. Licenciado pela ENSET especializado em electrónica, detentor de um magister e depois doutorado em electrónica, materiais opcionais e componentes da Universidade de Skikda, depois a Universidade de Habilitação (HDR) em engenharia eléctrica da Universidade de Guelma.