Silicio poroso " Elaborazione e caratterizzazione
Applicazioni optoelettroniche e fotovoltaiche.
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Nel nostro lavoro eravamo interessati a studiare il fenomeno di trasformazione degli strati di silicio monocristallino in silicio nanostrutturato. Diversi campioni di silicio poroso sono stati cresciuti per anodizzazione elettrochimica su substrati di Si (100) di tipo P e di Si (100) di tipo N, variando alcuni parametri sperimentali come l'intensità di corrente, il tempo di anodizzazione e la composizione dell'elettrolita. Per realizzare il nostro lavoro, abbiamo caratterizzato le proprietà degli strati con diversi metodi di caratterizzazione morfologica, strutturale e optoelettronica: SEM, ...
Nel nostro lavoro eravamo interessati a studiare il fenomeno di trasformazione degli strati di silicio monocristallino in silicio nanostrutturato. Diversi campioni di silicio poroso sono stati cresciuti per anodizzazione elettrochimica su substrati di Si (100) di tipo P e di Si (100) di tipo N, variando alcuni parametri sperimentali come l'intensità di corrente, il tempo di anodizzazione e la composizione dell'elettrolita. Per realizzare il nostro lavoro, abbiamo caratterizzato le proprietà degli strati con diversi metodi di caratterizzazione morfologica, strutturale e optoelettronica: SEM, fotoluminescenza (PL), infrarosso (FTIR), elipsometria ES e misure di riflettanza. I risultati delle analisi hanno permesso di evidenziare l'influenza dei parametri di anodizzazione, in particolare l'intensità di corrente e la durata dell'anodizzazione. Il calcolo della porosità degli strati nanostrutturati ci fornisce una variazione di quest'ultima che va dal 45 all'80%. Con una scelta oculata dei parametri sperimentali è possibile controllare le dimensioni delle nanostrutture e la porosità dei campioni elaborati.
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