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Produktbild: Silicon Carbide One-Dimensional Nanostructures

Silicon Carbide One-Dimensional Nanostructures

197,99 €

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

16.03.2015

Verlag

Wiley

Seitenzahl

150

Maße (L/B/H)

24/16,1/1,3 cm

Gewicht

398 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-84821-797-3

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Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

16.03.2015

Verlag

Wiley

Seitenzahl

150

Maße (L/B/H)

24/16,1/1,3 cm

Gewicht

398 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-84821-797-3

Herstelleradresse

Libri GmbH
Europaallee 1
36244 Bad Hersfeld
DE

Email: gpsr@libri.de

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  • Produktbild: Silicon Carbide One-Dimensional Nanostructures

  • FOREWORD ix

    INTRODUCTION xiii

    LIST OF ACRONYMS xvii

    CHAPTER 1. PROPERTIES OF SIC-BASED ONE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURES 1

    1.1. Intrinsic properties of silicon carbide 1

    1.1.1. Crystallographic description 1

    1.1.2. Physical and chemical properties of SiC 7

    1.2. Properties of one-dimensional nanostructures 14

    1.2.1. Definition and classification 14

    1.2.2. High surface/volume ratio and its consequences 17

    1.2.3. Specific properties at the nano metric scale 20

    1.3. Conclusion 25

    CHAPTER 2. STATE OF THE ART OF THE GROWTH OF SIC-1D NANOSTRUCTURES 27

    2.1. State of the art of the growth of SiC nanowires 27

    2.1.1. Silicidation of carbon nanotubes 28

    2.1.2. Synthesis through the VLS mechanism 29

    2.1.3. Development in the gaseous phase - VS mechanism 33

    2.1.4. Carburization of Si nanowires 34

    2.1.5. Conclusion on the growth of SiC nanowires 36

    2.2. State of the art of the growth of SiC nanotubes 37

    2.3. State of the art of the growth of SiC-based core-shell nanowires 39

    2.3.1. Si-SiC core-shell nanowires 39

    2.3.2. Other SiC-based core-shell nanowires 40

    2.4. Conclusion 41

    CHAPTER 3. AN ORIGINAL GROWTH PROCESS: THE CARBURIZATION OF SI NANOWIRES 43

    3.1. Si nanowires 44

    3.2. The carburization of bulk silicon 48

    3.3. Experimental application 55

    3.3.1. Carburization apparatus 55

    3.3.2. Methods of characterization 56

    3.4. Growth of core-shell Si-SiC nanowires 58

    3.4.1. Introduction 58

    3.4.2. Experimental study 59

    3.5. Growth of silicon carbide nanotubes 73

    3.5.1. Founding idea and experimental application 73

    3.5.2. A word on the kinetics of carburization 77

    3.6. Summary of the study of the carburization of silicon nanowires 79

    3.6.1. Illustration of carburization mechanisms for the growth of Si-SiC nanowires or SiC nanotubes 79

    3.6.2. The carburization of Si NW summarized: construction of an existence domain diagram 81

    3.6.3. Criticism of the nanostructures obtained 84

    CHAPTER 4. SIC-BASED ONE-DIMENSIONAL NANOSTRUCTURE TECHNOLOGIES 87

    4.1. Top-down approach: SiC plasma etching for the production of SiC nanowires 87

    4.2. Mechanics 90

    4.3. Energy 91

    4.4. Electronics 93

    4.4.1. Integration of nanostructures in a nanowire transistor 93

    4.5. For biology 99

    4.6. Future work 100

    CONCLUSION 103

    BIBLIOGRAPHY 107

    INDEX 127