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ZnO é um semicondutor II-IV típico exibindo excelentes propriedades elétricas, ópticas e químicas com energia de gap de banda (EG) de 3,1-3,4 eV. Ele tem uma energia de ligação de excitação muito grande de 60 meV à temperatura ambiente, que é muito próxima à do TiO2. É considerado mais adequado para aplicações de fotocatálise devido à sua alta fotossensibilidade e estabilidade química. Recentemente, interesse especial foi demonstrado em sua morfologia, pois o ZnO pode formar várias nanoestruturas adequadas para uma variedade de aplicações em materiais de proteção UV, sensores de gás,…mehr

Produktbeschreibung
ZnO é um semicondutor II-IV típico exibindo excelentes propriedades elétricas, ópticas e químicas com energia de gap de banda (EG) de 3,1-3,4 eV. Ele tem uma energia de ligação de excitação muito grande de 60 meV à temperatura ambiente, que é muito próxima à do TiO2. É considerado mais adequado para aplicações de fotocatálise devido à sua alta fotossensibilidade e estabilidade química. Recentemente, interesse especial foi demonstrado em sua morfologia, pois o ZnO pode formar várias nanoestruturas adequadas para uma variedade de aplicações em materiais de proteção UV, sensores de gás, biossensores, semicondutores, dispositivos piezoelétricos, monitores de emissões de campo, degradações fotocatalíticas de poluentes e tratamentos antimicrobianos.
Autorenporträt
Professor Jyotsna Chauhan is working as Head of Department in Rajeev Gandhi Technical University, India. She has 23 years of teaching experience. Author published nine books on nanomaterial and crystallography.