Síntesis Sol-Gel de películas delgadas de óxido de níquel - Benramache, Said; Belahssen, Okba; Lakel, Abdelghani
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En este trabajo se han depositado películas delgadas de NiO conductoras altamente transparentes sobre sustrato de vidrio mediante el método de recubrimiento por espinado con gel Sol. Se investigó la influencia de la temperatura de recocido sobre las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas. Los análisis DRX indicaron que las películas de ZnO tienen naturaleza policristalina y a alta temperatura se observó una fase cúbica de NiO con orientación preferente (111) y (200) correspondiente a las películas de NiO. Los valores óptimos del tamaño medio de cristalito de las películas de ZnO…mehr

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Produktbeschreibung
En este trabajo se han depositado películas delgadas de NiO conductoras altamente transparentes sobre sustrato de vidrio mediante el método de recubrimiento por espinado con gel Sol. Se investigó la influencia de la temperatura de recocido sobre las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas. Los análisis DRX indicaron que las películas de ZnO tienen naturaleza policristalina y a alta temperatura se observó una fase cúbica de NiO con orientación preferente (111) y (200) correspondiente a las películas de NiO. Los valores óptimos del tamaño medio de cristalito de las películas de ZnO consideradas se observan a partir de 550 °C de temperatura de recocido. El aumento del tamaño de los cristalitos ha sido indicado por la mejora de la cristalinidad bajo la orientación del eje a del NiO. Todas las películas recocidas presentan una transparencia óptica media de alrededor del 80 %, en el rango visible. El desplazamiento de la transmitancia óptica hacia longitudes de onda más elevadas puede demostrarse por el aumento de la energía de separación de banda de 3,536 a 3,854 eV con el aumento de la temperatura de recocido de 450 a 600 °C. La energía Urbach observada en las películas delgadas de ZnO disminuye de 339,311 a 180,756 meV. La buena conductividad eléctrica se encontró a 550 °C.
Autorenporträt
Prof. Said BENRAMACHE wurde 1981 in Algerien geboren und erwarb seinen Professorentitel in Physik an der Universität von Biskra (Algerien). Er hat mehr als 150 Forschungspublikationen bei Scopus und WOS veröffentlicht. Außerdem verfügt er über 14 Jahre Erfahrung im Bildungswesen.