Andere Kunden interessierten sich auch für
![Efeito das altas temperaturas em algumas propriedades da argamassa geopolímero]( "Efeito das altas temperaturas em algumas propriedades da argamassa geopolímero")
Efeito das altas temperaturas em algumas propriedades da argamassa geopolímero39,99 €![Controle de corrente aplicado em inversor monofásico de tensão]( "Controle de corrente aplicado em inversor monofásico de tensão")
Controle de corrente aplicado em inversor monofásico de tensão36,99 €![L'écriture du journal intime comme moyen de connaissance de soi]( "L'écriture du journal intime comme moyen de connaissance de soi")
L'écriture du journal intime comme moyen de connaissance de soi39,99 €![Análise da metodologia de tombamento de bancadas ultra-altas]( "Análise da metodologia de tombamento de bancadas ultra-altas")
Análise da metodologia de tombamento de bancadas ultra-altas26,99 €![Efeitos da corrente elétrica na redução da gordura abdominal]( "Efeitos da corrente elétrica na redução da gordura abdominal")
Efeitos da corrente elétrica na redução da gordura abdominal22,99 €![Diseño de un canal de riego de sección trapezoidal en dirección recta]( "Diseño de un canal de riego de sección trapezoidal en dirección recta")
Diseño de un canal de riego de sección trapezoidal en dirección recta26,99 €![Escala de disgrafia em crianças com e sem dificuldades de escrita]( "Escala de disgrafia em crianças com e sem dificuldades de escrita")
Escala de disgrafia em crianças com e sem dificuldades de escrita36,99 €
O emprego de circuitos em altas temperaturas representa um dos maiores problemas para a utilização da tecnologia MOS convencional, devido à excessiva elevação da corrente de fuga nas junções, que aumenta a potência dissipada durante o desligamento dos transistores e provoca a degradação da tensão de limiar nestes dispositivos. Sob este aspecto, há relatos mostrando que a tecnologia SOI apresenta-se como uma excelente alternativa à tecnologia MOS convencional, devido à significativa redução da corrente de fuga das junções e da menor variação da tensão de limiar com a temperatura. Este trabalho investiga o comportamento do SOI nMOSFET de canal ¿ totalmente depletados, submetidos a temperaturas que variam desde a ambiente até 300ºC, dando um enfoque especial para o estudo do comportamento das correntes de fuga em função da temperatura, sendo assim, realizou-se uma série de simulações numéricas tridimensionais variando-se as dimensões geométricas dos dispositivos, Isto é, a largura do canal (W) e o comprimento (L), para verificar qual o comportamento elétrico demonstrado por estes transistores quando operando em tais condições.