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La persistente richiesta da parte dell'industria di elettronica di consumo piccola e a bassa potenza ci motiva a cercare nuovi modi per migliorare il design. Con numerose tecnologie disponibili e imminenti per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori, la selezione della tecnologia che può essere definita come il futuro dell'industria richiede di soppesarle rispetto a vari requisiti, vincoli e parametri. Vengono presentati alcuni nuovi circuiti Full Adder a bassa potenza e ad alta velocità utilizzando i transistor a effetto campo dei nanotubi di carbonio per applicazioni in tempo reale, tolleranti ai guasti e mission-critiche.…mehr

Produktbeschreibung
La persistente richiesta da parte dell'industria di elettronica di consumo piccola e a bassa potenza ci motiva a cercare nuovi modi per migliorare il design. Con numerose tecnologie disponibili e imminenti per la fabbricazione di dispositivi semiconduttori, la selezione della tecnologia che può essere definita come il futuro dell'industria richiede di soppesarle rispetto a vari requisiti, vincoli e parametri. Vengono presentati alcuni nuovi circuiti Full Adder a bassa potenza e ad alta velocità utilizzando i transistor a effetto campo dei nanotubi di carbonio per applicazioni in tempo reale, tolleranti ai guasti e mission-critiche.
Autorenporträt
Il dottor Jitendra Kumar Saini è nato a Jaipur, Rajasthan, India. Ha ricevuto il suo B.E., M.Tech. e Ph.D. in ECE dal Birla Institute of Technology Mesra; Malviya National Institute of Technology Jaipur & Manipal University Jaipur. Attualmente è professore associato nel dipartimento ECE presso il Vignans Lara Institute of Technology & Science.