Andere Kunden interessierten sich auch für
![Creation of photomasks by laser maskless lithography]( "Creation of photomasks by laser maskless lithography")
Creation of photomasks by laser maskless lithography23,99 €![Sozdanie luchshego uprawleniq]( "Sozdanie luchshego uprawleniq")
Sozdanie luchshego uprawleniq16,99 €![Sredstwa massowoj informacii w klasse: chtenie, obschenie, tworchestwo, sozdanie]( "Sredstwa massowoj informacii w klasse: chtenie, obschenie, tworchestwo, sozdanie")
Sredstwa massowoj informacii w klasse: chtenie, obschenie, tworchestwo, sozdanie39,99 €![Korporatiwnaq social'naq otwetstwennost' i sozdanie stoimosti]( "Korporatiwnaq social'naq otwetstwennost' i sozdanie stoimosti")
Korporatiwnaq social'naq otwetstwennost' i sozdanie stoimosti16,99 €![Vozniknowenie i razwitie mezhdunarodnyh prawitel'stwennyh institutow]( "Vozniknowenie i razwitie mezhdunarodnyh prawitel'stwennyh institutow")
Vozniknowenie i razwitie mezhdunarodnyh prawitel'stwennyh institutow29,99 €![Sozdanie indijskoj konstitucii]( "Sozdanie indijskoj konstitucii")
Sozdanie indijskoj konstitucii29,99 €![Sozdanie centrow monitoringa i ocenki VICh/SPIDa na wysokom urowne]( "Sozdanie centrow monitoringa i ocenki VICh/SPIDa na wysokom urowne")
Sozdanie centrow monitoringa i ocenki VICh/SPIDa na wysokom urowne13,99 €
Osnownoe mesto w sowremennoj tehnologii izgotowleniq izdelij mikroälektroniki zanimaet fotolitografiq. Tehnologicheskij process fotolitografii sostoit iz neskol'kih osnownyh operacij: podgotowki powerhnosti poluprowodnikowoj plastiny, naneseniq na powerhnost' plastiny sloq fotorezista, sushki fotorezista, äxponirowaniq, proqwleniq i zadubliwaniq fotorezista, kontrolq geometricheskih razmerow izobrazheniq, trawleniq plenki, promywki plastiny posle trawleniq, udaleniq plenki fotorezista s powerhnosti, kontrolq obrabotannyh plastin. Cel'ü raboty qwlqlos' poluchenie fotoshablonow s minimal'nymi parametrami, wozmozhnymi dlq dannogo oborudowaniq. Dlq ätogo issledowalos' wliqnie wremeni äxpozicii i wremeni proqwleniq na parametry fotoshablonow (harakter risunka), poluchennyh metodom bezmaskowoj lazernoj litografii na ustanowke äxponirowaniq "Heidelberg µPG501". V rezul'tate wypolneniq raboty byli izgotowleny fotoshablony s geometricheskimi parametrami 2 mkm, pri ätom dlq dannoj partii ustanowleny optimal'nye wremq äxpozicii 35 ms i wremq proqwleniq 60 s .