Spectraal-luminescentie-eigenschappen van epitaxiale films - Randoshkin, Ivan
35,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 1-2 Wochen
payback
18 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Monokristallijne films, gegroeid door vloeibare-fase epitaxie uit supergekoelde oplossing-smelt, zijn de enige kunstmatige materialen waarin ongeveer de helft van de elementen uit de D.I. Mendeleev tabel kan worden ingebracht als isomorfe vervangingen. In verband met een met succes opgelost probleem om geheugenapparaten te maken zonder mechanisch bewegende delen, werd de technologie ontwikkeld voor de produktie van substraten op basis van gadolinium-gallium-garnet (GGG) monokristallen voor de groei van epitaxiale granaatfilms daarop. Verschillende monokristallen met granaatstructuur worden…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
Monokristallijne films, gegroeid door vloeibare-fase epitaxie uit supergekoelde oplossing-smelt, zijn de enige kunstmatige materialen waarin ongeveer de helft van de elementen uit de D.I. Mendeleev tabel kan worden ingebracht als isomorfe vervangingen. In verband met een met succes opgelost probleem om geheugenapparaten te maken zonder mechanisch bewegende delen, werd de technologie ontwikkeld voor de produktie van substraten op basis van gadolinium-gallium-garnet (GGG) monokristallen voor de groei van epitaxiale granaatfilms daarop. Verschillende monokristallen met granaatstructuur worden gebruikt als substraat voor de groei van epitaxiale films. In het bijzonder is aangetoond dat epitaxiale films, gegroeid op met ceriumionen gedoteerde yttrium-aluminiumgranetsubstraten, een snelle kinetiek hebben voor het verval van de luminescentie (minder dan 30 ns) en veelbelovend zijn voor de ontwikkeling van scintillatoren. Het doel van dit werk was de spectrale en luminescente eigenschappen te bestuderen van epitaxiale films van gadolinium gallium granaat met verschillende concentraties van het Ce3+ ion.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Autorenporträt
Randoshkin Ivan Vladimirovich. Licenciado en el Departamento de Física Molecular de la Facultad de Física de la Universidad Estatal de Moscú. Estudiante de postgrado del Instituto Prokhorov de Física General de la Academia de Ciencias de Rusia. Licenciado en el Instituto M.V. Prokhorov de Física General de la Academia de Ciencias de Rusia.