Poluchenie gidrogenezirovannyh tonkih plenok metodom reaktivnogo magnitnogo raspyleniya, plazmohimicheskogo osazhdeniya, vysokochastotnogo tlejushhego razryada. Izuchenie strukturnyh harakteristik legirovannyh a-Si1-xGex:H (x=0÷1), a-Si 1-xCx:H (x=0÷1). Izuchenie jelektrofizicheskih, termojelektricheskih i opticheskih svojstv i JePR pogloshheniya amorfnyh plenok a-Si1-xGex:H (x=0÷1), a-Si 1-xCx:H, a-Si 1-xGex:H (x=0÷1). Opredelenie v plenkah a-Si1-xGex:H i a-Si 1-xCx:H (x=0÷1) kolichestva vodoroda opticheskim metodom, ispol'zuya dlya jetogo metod jeffuzii, YaMR, metod IK pogloshheniya, a takzhe vtorichnyh mass spektrometricheskij analiz. Sozdanie solnechnyh jelementov na osnove a-Si1-xGex:H i a-Si 1-xCx:H (x=0÷1), a takzhe na osnove nanokristallicheskogo kremniya-ugleroda. Sozdanie dvuhslojnyh detektorov na osnove a-Si1-xGex:H i nanokristallicheskogo kremniya-ugleroda.