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In der sich ständig weiterentwickelnden Landschaft der Halbleitertechnologie ist das Streben nach kleineren, schnelleren und effizienteren Bauelementen eine treibende Kraft für Innovationen. Unter den unzähligen Fortschritten sticht die Entwicklung des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) mit nahtlosem Gate-All-Around (GAA) als transformativer Meilenstein hervor. Dieses Buch befasst sich mit dem Junctionless GAA MOSFET, einem Durchbruch, der verspricht, die Grenzen des konventionellen Transistordesigns neu zu definieren. Von der konzeptionellen Entstehung bis hin zu den…mehr

Produktbeschreibung
In der sich ständig weiterentwickelnden Landschaft der Halbleitertechnologie ist das Streben nach kleineren, schnelleren und effizienteren Bauelementen eine treibende Kraft für Innovationen. Unter den unzähligen Fortschritten sticht die Entwicklung des Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) mit nahtlosem Gate-All-Around (GAA) als transformativer Meilenstein hervor. Dieses Buch befasst sich mit dem Junctionless GAA MOSFET, einem Durchbruch, der verspricht, die Grenzen des konventionellen Transistordesigns neu zu definieren. Von der konzeptionellen Entstehung bis hin zu den praktischen Auswirkungen auf verschiedene Branchen will dieses Buch die Feinheiten dieser Spitzentechnologie entschlüsseln. Mit einer Mischung aus technischen Einblicken, praktischen Anwendungen und zukunftsweisenden Perspektiven soll der Weg in eine Zukunft beleuchtet werden, in der funktionslose GAA-MOSFETs eine zentrale Rolle bei der Gestaltung der Halbleiterlandschaft spielen.
Autorenporträt
Rajni Gautam obtuvo el doctorado, el máster y la licenciatura en Electrónica por la Universidad de Delhi (India) en 2014, 2009 y 2007, respectivamente. Tiene 16 publicaciones en revistas internacionales de renombre y 15 publicaciones en conferencias internacionales. Sus citas totales son 338 con un índice h de 10.