Osnovnym processom v proizvodstve poluprovodnikovyh priborov i mikroshem yavlyaetsya process litografii.Harakteristiki mikroshem zavisyat ot tochnosti izgotovleniya ih minimal'nyh jelementov. Jeto pred#yavlyaet povyshennye trebovaniya k analiticheskim sredstvam kontrolya parametrov struktur v processe ih proizvodstva, a pervuju ochered' ih geometricheskih harakteristik ¿ linejnyh razmerov jelementov. Proekt posvyashhen aktual'noj teme sravnenie opticheskih i jelektronno-mikroskopicheskih metodov izmereniya linejnyh razmerov v proizvodstve integral'nyh mikroshem nanometrovogo diapazona. Byli issledovany struktury metodami rastrovoj jelektronnoj mikroskopii i skatterometrii. V hode analiza rezul'tatov jexperimenta bylo pokazano, chto bolee informativnym i tehnologichnym metodom kontrolya linejnyh razmerov yavlyaetsya metod skatterometrii. Najdeny dispersionnye zavisimosti opticheskih konstant ot dliny volny dlya materialov sloev fotorezista i antiotrazhajushhego pokrytiya. Vybrany optimal'nye parametry processa fotolitografii dlya formirovaniya struktur s proektnymi normami 90 nm. Vo vremya raboty v OAO «NIIMJe» provodilsya bol'shoj ob#em rabot po sovremennym metodam kontrolya linejnyh razmerov.