Strukturnye i fizicheskie svoystva plenok SiCx i SnOx - Beysenkhanov, Nurzhan
51,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
payback
26 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

V rabote provedeno issledovanie osobennostey protsessa kristallizatsii, mikrostruktury i fazovogo sostava sloev SiCx (x = 0,03 1,4), sintezirovannykh implantatsiey ionov ugleroda s energiyami 40, 20, 10, 5 i 3 keV v kremniy (nauchnyy konsul'tant - professor Nusupov K.Kh.); a takzhe kompleksnoe issledovanie opticheskikh i elektrofizicheskikh svoystv, mikrostruktury i fazovogo sostava tonkikh plenok SnOx, sintezirovannykh metodami zol'-gel' tekhnologii, magnetronnogo reaktivnogo raspyleniya i ionno-luchevogo raspyleniya, modifitsirovannykh termicheskoy i plazmennoy obrabotkami. V shirokozonnykh…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
V rabote provedeno issledovanie osobennostey protsessa kristallizatsii, mikrostruktury i fazovogo sostava sloev SiCx (x = 0,03 1,4), sintezirovannykh implantatsiey ionov ugleroda s energiyami 40, 20, 10, 5 i 3 keV v kremniy (nauchnyy konsul'tant - professor Nusupov K.Kh.); a takzhe kompleksnoe issledovanie opticheskikh i elektrofizicheskikh svoystv, mikrostruktury i fazovogo sostava tonkikh plenok SnOx, sintezirovannykh metodami zol'-gel' tekhnologii, magnetronnogo reaktivnogo raspyleniya i ionno-luchevogo raspyleniya, modifitsirovannykh termicheskoy i plazmennoy obrabotkami. V shirokozonnykh poluprovodnikovykh plenkakh SiC i SnO2, obladayushchikh vysokoy tverdost'yu, khimicheskoy stoykost'yu, vysokoy temperaturoy plavleniya i sposobnykh rabotat' pri povyshennykh temperaturakh, kharakternym svoystvom i obshchey problemoy yavlyaetsya segregatsiya odnogo iz komponentov: S v sloyakh SiCx i Sn v sloyakh SnOx. Obrabotka v plazme tleyushchego razryada plenok SiCx pered otzhigom pozvolila sushchestvenno uluchshit' kristallicheskuyu strukturu plenok za schet raspada prochnykh uglerodnykh klasterov, a obrabotka v plazme plenok SnOx - znachitel'no uvelichit' ikh gazochuvstvitel'nost' i prozrachnost' za schet okisleniya i klasterizatsii v edinom protsesse.
Autorenporträt
Beysenkhanov Nurzhan Beysenkhanovich, doktor fiziko-matematicheskikh nauk (2011 g., IPTM RAN, Rossiya), oblast' issledovaniya - fizika tonkikh plenok, okonchil KazNU im. Al'-Farabi v 1983 g., Vedushchiy nauchnyy sotrudnik Fiziko-tekhnicheskogo instituta MON RK (s 1983 g.) i Kazakhstansko-Britanskogo tekhnicheskogo universiteta (s 2011 g.), g. Almaty, Kazakhstan.