Gel' - Teoriq kristallow Mehanizm rospuska Mehanizm wypadeniq osadkowNano-listowye grafenowye uluchsheniqVliqnie razmerow i umen'sheniq grafenaInducirowannaq sdwigowaq fragmentaciq grafena Mezhprowodimost' i älektroosmoticheskie qwleniqNowejshie strategii po ispol'zowaniü i uwelicheniü emkosti swincowo-kislotnyh batarej Trebowaniq, pred#qwlqemye k gibridnym älektromobilqm, krupnogabaritnym nakopitelqm i portatiwnym älektrostanciqm, usilili issledowatel'skie interesy w oblasti swincowo-kislotnyh akkumulqtorow (LAB), w dopolnenie k preimuschestwu nominal'noj moschnosti po stoimosti. Polozhitel'nye aktiwnye materialy LAB (PAM), blagodarq nizkomu urownü ispol'zowaniq i malomu sroku sluzhby, ser'ezno ogranichiwaüt konkurentosposobnost' tradicionnyh batarej. Jelektrohimicheskoe wzaimodejstwie grafenowyh listow, izmeniwshee reakcionnuü sposobnost' kristallow dioxida swinca w gelewoj zone. Razrabotana model' ionnogo perenosa, pokazywaüschaq optimizaciü ionnogo perenosa gelewoj zony, inducirowannogo älektrohimicheskoj aktiwnost'ü grafenowyh dobawok. Prowedena dal'nejshaq ocenka mehanisticheskih mezhfaznyh harakteristik grafenowyh uluchshenij w LAV, osnowannaq na emkosti dwojnogo sloq i soprotiwlenii perenosa zarqda.