27,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 1-2 Wochen
  • Broschiertes Buch

Ferromagnetyzm w temperaturze pokojowej w du¿ym i bezpo¿rednim pasmowym rozcie¿czonym magnetycznym pó¿przewodnikowym tlenku cynku (ZnO) przypisuje si¿ wadom wewn¿trznym i interakcji sprz¿¿enia p-orbital-p-orbital (p-p). Jednak z powodu utleniania, ferromagnetyzm wywo¿any przez wady jest niestabilny. W niniejszej pracy wykorzystano drog¿ syntezy roztworu do wzrostu nieskazitelnych i domieszkowanych bizmutem próbek na bazie wysokokrystalicznego nanowira ZnO (ZnO NW), a krzywa magnesowania (M-H) wszystkich próbek wykazäa zachowanie ferromagnetyczne w temperaturze pokojowej. Namagnesowanie…mehr

Produktbeschreibung
Ferromagnetyzm w temperaturze pokojowej w du¿ym i bezpo¿rednim pasmowym rozcie¿czonym magnetycznym pó¿przewodnikowym tlenku cynku (ZnO) przypisuje si¿ wadom wewn¿trznym i interakcji sprz¿¿enia p-orbital-p-orbital (p-p). Jednak z powodu utleniania, ferromagnetyzm wywo¿any przez wady jest niestabilny. W niniejszej pracy wykorzystano drog¿ syntezy roztworu do wzrostu nieskazitelnych i domieszkowanych bizmutem próbek na bazie wysokokrystalicznego nanowira ZnO (ZnO NW), a krzywa magnesowania (M-H) wszystkich próbek wykazäa zachowanie ferromagnetyczne w temperaturze pokojowej. Namagnesowanie nasyceniowe dla próbek bi-dopowanych wynosi ±0,25 emu/g, a dla niedopasowanych ±2,0 emu/g, a wi¿c prawie 10-krotnie wi¿ksze namagnesowanie. Spektroskopia Laserowa Indukcyjna Spektroskopia Rozbicia (LIBS) potwierdzi¿a obecno¿¿ pierwiastków domieszkuj¿cych w ZnO. Dyfrakcja rentgenowska (XRD) i Skaningowa Mikroskopia Elektronowa (SEM) wykazäy wyräny pik 002 wzd¿u¿ osi c, posiadaj¿cy odpowiednio sze¿ciok¿tn¿ górn¿ powierzchni¿.Poszerzenie szczytu XRD zostäo wykorzystane do oszacowania napr¿¿enia i okazäo si¿, ¿e wynosi ono 2,51x10-2 dla nieskazitelnie czystego ZnO i 5,80x10-2 dla Bi-dopedii ZnO NWs. UV-Vis wykazäo zmian¿ pasma ZnO NWs po dopingu.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Autorenporträt
Jamal Kazmi hizo su B.Sc., M.Sc. y M.Phil de UAJK, Pakistán de 2013 a 2018. Actualmente, está haciendo un doctorado en la Universidad Nacional de Malasia. Su investigación se centra en la deposición y aplicaciones de películas delgadas de semiconductores basados en Si. Actualmente trabaja en materiales 1D dopados con iones pesados basados en ZnO y sus aplicaciones en dispositivos de memoria no volátil.