Synthèse Sol-Gel de films minces d'oxyde de nickel - Benramache, Said;Belahssen, Okba;LAKEL, Abdelghani
29,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 6-10 Tagen
  • Broschiertes Buch

Dans ce travail, des films minces de NiO hautement transparents et conducteurs ont été déposés sur des substrats en verre par la méthode Sol gel spin coating. L'influence de la température de recuit sur les propriétés structurelles, optiques et électriques a été étudiée. Les analyses DRX ont indiqué que les films de ZnO sont de nature polycristalline et une phase NiO cubique avec une orientation préférentielle (111) et (200) correspondant aux films de NiO a été observée à haute température. Les valeurs optimales de la taille moyenne des cristallites des films de ZnO considérés sont observées à…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
Dans ce travail, des films minces de NiO hautement transparents et conducteurs ont été déposés sur des substrats en verre par la méthode Sol gel spin coating. L'influence de la température de recuit sur les propriétés structurelles, optiques et électriques a été étudiée. Les analyses DRX ont indiqué que les films de ZnO sont de nature polycristalline et une phase NiO cubique avec une orientation préférentielle (111) et (200) correspondant aux films de NiO a été observée à haute température. Les valeurs optimales de la taille moyenne des cristallites des films de ZnO considérés sont observées à partir de 550 °C de température de recuit. L'augmentation de la taille des cristallites a été indiquée par l'amélioration de la cristallinité sous l'orientation a-axe de NiO. Tous les films recuits présentent une transparence optique moyenne d'environ 80 % dans le domaine visible. Le déplacement de la transmittance optique vers des longueurs d'onde plus élevées peut être démontré par l'augmentation de l'énergie de la bande interdite de 3,536 à 3,854 eV avec l'augmentation de la température de recuit de 450 à 600 °C. L'énergie d'Urbach observée pour les films minces de ZnO diminue de 339,311 à 180,756 meV. La bonne conductivité électrique a été constatée à 550 °C.
Autorenporträt
Prof. Said BENRAMACHE wurde 1981 in Algerien geboren und erwarb seinen Professorentitel in Physik an der Universität von Biskra (Algerien). Er hat mehr als 150 Forschungspublikationen bei Scopus und WOS veröffentlicht. Außerdem verfügt er über 14 Jahre Erfahrung im Bildungswesen.