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La fotometría y la astrometría realizadas con dispositivos de carga acoplada (CCD) en los planos focales de los grandes telescopios son herramientas indispensables de la cosmología observacional, la astrofísica y la astronomía modernas. En la era moderna de la cosmología de precisión, las variaciones en la sensibilidad subpixel y en la respuesta espectral de los CCD pueden afectar al rendimiento científico de las observaciones y deben ser caracterizadas. Desafortunadamente, se han realizado muy pocos estudios para medir las variaciones de la respuesta subpixel de los CCDs, particularmente en…mehr

Produktbeschreibung
La fotometría y la astrometría realizadas con dispositivos de carga acoplada (CCD) en los planos focales de los grandes telescopios son herramientas indispensables de la cosmología observacional, la astrofísica y la astronomía modernas. En la era moderna de la cosmología de precisión, las variaciones en la sensibilidad subpixel y en la respuesta espectral de los CCD pueden afectar al rendimiento científico de las observaciones y deben ser caracterizadas. Desafortunadamente, se han realizado muy pocos estudios para medir las variaciones de la respuesta subpixel de los CCDs, particularmente en el contexto de la cosmología observacional. El objetivo de este estudio es realizar la primera medición de la fidelidad fotométrica y astrométrica de los CCDs de alta resistividad y canal p. Estos dispositivos han sido seleccionados para los próximos grandes proyectos de observación. Estos dispositivos han sido seleccionados para las próximas misiones cosmológicas observacionales más importantes, como el satélite espacial Sonda de Aceleración de Supernovas (SNAP, Supernova Acceleration Probe) y el sondeo terrestre de Energía Oscura (Dark Energy Survey) . Se ha llevado a cabo un estudio experimental para realizar mediciones detalladas de las variaciones de respuesta intrapíxel de estos dispositivos con una precisión superior al 2%, que es el nivel de precisión requerido para las misiones.
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Autorenporträt
Malek Abunaemeh nació en Siria el 6 de julio de 1977. Estudió en el instituto Alfaysaliah de Arabia Saudí, donde se graduó en 1995. Después del instituto, se licenció en Ingeniería Eléctrica por la Universidad de Alabama en 2001, obtuvo un máster en Física por la Universidad de Alabama en Huntsville en 2008 y un doctorado por la Universidad A&M de Alabama en 2011.