Tecnologías de la información mediante transiciones de fase totóxicas
Aprovechamiento de las transiciones de fase totóxicas mediadas por redox en óxidos metálicos de transición para dispositivos de memoria avanzados
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Los dispositivos redox memristivos, impulsados por la migración de oxígeno, son prometedores para el futuro almacenamiento de datos. Las estructuras de brownmillerita, como SrCoO2.5 y SrFeO2.5, permiten transiciones de fase topotacticas reversibles, optimizando la conmutación redox y resistiva en dispositivos memristivos. Los retos de las películas delgadas de SrCoO2,5 se abordan con SrFeO2,5 atómicamente plano, mostrando un rendimiento mejorado. El crecimiento epitaxial sobre SrTiO3 orientado a [111] mejora la migración controlada de iones de oxígeno, consiguiendo una alta resistencia ...
Los dispositivos redox memristivos, impulsados por la migración de oxígeno, son prometedores para el futuro almacenamiento de datos. Las estructuras de brownmillerita, como SrCoO2.5 y SrFeO2.5, permiten transiciones de fase topotacticas reversibles, optimizando la conmutación redox y resistiva en dispositivos memristivos. Los retos de las películas delgadas de SrCoO2,5 se abordan con SrFeO2,5 atómicamente plano, mostrando un rendimiento mejorado. El crecimiento epitaxial sobre SrTiO3 orientado a [111] mejora la migración controlada de iones de oxígeno, consiguiendo una alta resistencia y una rápida conmutación. La espectromicroscopía de absorción de rayos X revela el papel de la transición de fase basada en redox, y los dispositivos orientados a (111) presentan transiciones localizadas. Los dispositivos SrFeO2.5 (111) demuestran una prometedora funcionalidad de memoria sináptica, contribuyendo a un modelo de red neuronal con una precisión de ~90% en la identificación de números escritos a mano.
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