Tecnologías de la información mediante transiciones de fase totóxicas - Nallagatla, Venkata Raveendra
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Los dispositivos redox memristivos, impulsados por la migración de oxígeno, son prometedores para el futuro almacenamiento de datos. Las estructuras de brownmillerita, como SrCoO2.5 y SrFeO2.5, permiten transiciones de fase topotacticas reversibles, optimizando la conmutación redox y resistiva en dispositivos memristivos. Los retos de las películas delgadas de SrCoO2,5 se abordan con SrFeO2,5 atómicamente plano, mostrando un rendimiento mejorado. El crecimiento epitaxial sobre SrTiO3 orientado a [111] mejora la migración controlada de iones de oxígeno, consiguiendo una alta resistencia y una…mehr

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Produktbeschreibung
Los dispositivos redox memristivos, impulsados por la migración de oxígeno, son prometedores para el futuro almacenamiento de datos. Las estructuras de brownmillerita, como SrCoO2.5 y SrFeO2.5, permiten transiciones de fase topotacticas reversibles, optimizando la conmutación redox y resistiva en dispositivos memristivos. Los retos de las películas delgadas de SrCoO2,5 se abordan con SrFeO2,5 atómicamente plano, mostrando un rendimiento mejorado. El crecimiento epitaxial sobre SrTiO3 orientado a [111] mejora la migración controlada de iones de oxígeno, consiguiendo una alta resistencia y una rápida conmutación. La espectromicroscopía de absorción de rayos X revela el papel de la transición de fase basada en redox, y los dispositivos orientados a (111) presentan transiciones localizadas. Los dispositivos SrFeO2.5 (111) demuestran una prometedora funcionalidad de memoria sináptica, contribuyendo a un modelo de red neuronal con una precisión de ~90% en la identificación de números escritos a mano.
Autorenporträt
Il dott. Nallagatla è un illustre professionista con un dottorato di ricerca in fisica elettronica, specializzato nella tecnologia delle memorie emergenti. Con oltre un decennio di esperienza nell'intersezione dinamica tra film sottili e fisica dei dispositivi.