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A tecnologia está a diminuir a um ritmo significativo; o principal desafio consiste em conceber um amplificador diferencial em tecnologia à nanoescala com os melhores parâmetros de desempenho. A tecnologia MOSFET está a diminuir para satisfazer os requisitos de desempenho, custo e potência das futuras aplicações de elevado débito. O escalonamento dos MOSFET convencionais pode ser mais difícil, o nó tecnológico devido aos efeitos incontroláveis do canal curto e à variação excessiva da tensão de limiar. Por conseguinte, foram investigadas novas estruturas de transístores para sustentar o escalonamento contínuo. Os CNFET e os FinFET têm um grande potencial para substituir a atual tecnologia MOSFET em massa no futuro. Sendo um dos novos dispositivos promissores, os CNFET eliminam a maioria das limitações fundamentais dos dispositivos de silício tradicionais. O FinFET é a escolha mais atractiva entre as arquitecturas de transístores de porta dupla devido ao auto-alinhamento das duas portas e à semelhança das etapas de fabrico com a tecnologia MOSFET padrão existente.