Tendencias en memoria dinámica de acceso aleatorio sin condensador - Thakare, Yogesh
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La memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) es un tipo de memoria informática conocida por su simplicidad estructural, ya que sólo consta de un transistor y un condensador por bit. Estos condensadores almacenan los datos en forma de cargas eléctricas, por lo que la DRAM es muy eficiente en términos de espacio y coste. Sin embargo, su naturaleza dinámica requiere actualizaciones periódicas para evitar la pérdida de datos por fugas en los condensadores, lo que la distingue de las memorias estáticas como la SRAM. Un avance significativo en la tecnología DRAM es el diseño 3T-1D, que elimina la…mehr

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Produktbeschreibung
La memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) es un tipo de memoria informática conocida por su simplicidad estructural, ya que sólo consta de un transistor y un condensador por bit. Estos condensadores almacenan los datos en forma de cargas eléctricas, por lo que la DRAM es muy eficiente en términos de espacio y coste. Sin embargo, su naturaleza dinámica requiere actualizaciones periódicas para evitar la pérdida de datos por fugas en los condensadores, lo que la distingue de las memorias estáticas como la SRAM. Un avance significativo en la tecnología DRAM es el diseño 3T-1D, que elimina la necesidad de condensadores externos y ofrece ventajas en cuanto a escalabilidad, complejidad del proceso y compatibilidad con los pasos de procesamiento lógico. A pesar de sus retos inherentes, la alta densidad y rentabilidad de la DRAM siguen convirtiéndola en un componente vital de los sistemas informáticos modernos.
Autorenporträt
Dr. Yogesh Thakare erhielt 2020 seinen Doktortitel in Elektronik und Telekommunikation von der Sant Gadge Baba Amravati University, Amravati, Indien. Er arbeitet derzeit als Assistenzprofessor am Shri Ramdeobaba College of Engineering and Management, Nagpur, Maharashtra, Indien.