Tendências da memória dinâmica de acesso aleatório sem condensador - Thakare, Yogesh
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A memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) é um tipo de memória de computador conhecido pela sua simplicidade estrutural, consistindo em apenas um transístor e um condensador por bit. Estes condensadores armazenam dados como cargas eléctricas, tornando a DRAM altamente eficiente em termos de espaço e custo. No entanto, a sua natureza dinâmica requer uma atualização periódica para evitar a perda de dados devido a fugas nos condensadores, o que a distingue da memória estática como a SRAM. Um avanço significativo na tecnologia DRAM é a conceção 3T-1D, que elimina a necessidade de condensadores…mehr

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Produktbeschreibung
A memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) é um tipo de memória de computador conhecido pela sua simplicidade estrutural, consistindo em apenas um transístor e um condensador por bit. Estes condensadores armazenam dados como cargas eléctricas, tornando a DRAM altamente eficiente em termos de espaço e custo. No entanto, a sua natureza dinâmica requer uma atualização periódica para evitar a perda de dados devido a fugas nos condensadores, o que a distingue da memória estática como a SRAM. Um avanço significativo na tecnologia DRAM é a conceção 3T-1D, que elimina a necessidade de condensadores externos e oferece vantagens em termos de escalabilidade, complexidade do processo e compatibilidade com as etapas de processamento lógico. Apesar dos desafios inerentes, a alta densidade e a relação custo-benefício da DRAM continuam a torná-la um componente vital nos sistemas de computação modernos.
Autorenporträt
O Dr. Yogesh Thakare recebeu o grau de doutoramento em eletrónica e telecomunicações da Universidade Sant Gadge Baba Amravati, Amravati, Índia, em 2020. Trabalha atualmente como professor assistente na Faculdade de Engenharia e Gestão Shri Ramdeobaba, Nagpur, Maharashtra, Índia.