Tat'qna Kozhewnikowa, Kuzubow Alexandr, Eliseewa Natal'q

Teoreticheskoe issledowanie tonkih plenok karbida kremniq

Ih struktura i swojstwa

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Karbid kremniq predstawlqet soboj perspektiwnyj material, shiroko primenqemyj w poluprowodnikowoj tehnike. On obladaet rqdom unikal'nyh swojstw,chto mozhet pozwolit' uluchshit' prakticheski wse harakteristiki priborow silowoj i cifrowoj älektroniki, sozdannyh na ego osnowe.Razwitiü poluprowodnikowoj SiC-älektroniki prepqtstwuet nizkoe kachestwo wyraschiwaemyh monokristallow karbida kremniq. Poluchenie kachestwennyh malodefektnyh kristallow SiC opredelennogo politipa soprqzheno s rqdom trudnostej, i odna iz nih ¿ äffektiwnaq sistema uprawleniq processom rosta kristalla. Osnownaq ideq dannoj raboty zaklüchalas' w izuchenii struktury, swojstw i wozmozhnosti polucheniq grafenopodobnogo 2D SiC. Bylo izucheno wliqnie chisla sloew na wozmozhnost' perehoda iz odnoj modifikacii karbida kremniq w druguü. Byli izucheny sistemy 2D SiC na plastinkah Mg (0001) i Zr (0001), kak na potencial'nyh materialah dlq podlozhek pri wyraschiwanii monosloq, a takzhe issledowano powedenie defektow w monosloe SiS i ih wliqnie na fizicheskie swojstwa materiala.

Produktdetails

• Verlag: LAP LAMBERT Academic Publishing
• Seitenzahl: 68
• Erscheinungstermin: 22. Juni 2012
• Russisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 5mm
• Gewicht: 119g
• ISBN-13: 9783659136108
• ISBN-10: 3659136107
• Artikelnr.: 62769347

Autorenporträt

Kozhewnikowa Tat'qna Alexandrowna, aspirant Sibirskogo gosudarstwennogo tehnologicheskogo uniwersiteta, g.Krasnoqrsk