Rahman Bakhyshov

Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej

po¿¿czenie pó¿przewodnikowe Ga2Se3 metod¿ rur otwartych w systemie transportu gazu Ga-Se-Cl-H

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Niniejsza praca jest po¿wi¿cona analizie termodynamicznej procesów fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych zwi¿zku pó¿przewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w uk¿adzie przep¿ywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu procesów technologicznych w celu prognozowania mo¿liwych wariantów technologicznych i okre¿lenia optymalnych warunków syntezy tego zwi¿zku. Podano wyniki badä nad definiowaniem i obliczaniem parametrów termodynamicznych poszczególnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu procesów wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano zwi¿zek pomi¿dzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi ¿ród¿ami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametrów technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w uk¿adzie transportu gazu przep¿ywowego z wydzielonymi ¿ród¿ami galu i selenu.

Produktdetails

• Verlag: Wydawnictwo Nasza Wiedza
• Seitenzahl: 60
• Erscheinungstermin: 12. Juni 2020
• Polnisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 4mm
• Gewicht: 107g
• ISBN-13: 9786202589000
• ISBN-10: 6202589000
• Artikelnr.: 60322263

Autorenporträt

Rahman Agamirza oglu Bakhyshov was born in Azerbaijan in 1950. I graduated from Azerbaijan Pedagogical Institute with a degree in physics in 1971. In 1989, he defended his PhD thesis on semiconductor and dielectric physics. Currently I work at the National Aviation Academy as an associate professor of the Higher Mathematics Department.