Transición de fase inducida por presión de perovskita LaAlO3 - Jayalakshmi, D. S.
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Se ha realizado una investigación computacional sobre las propiedades estructurales y electrónicas del compuesto de perovskita LaAlO3 utilizando el código WIEN2K por medio del método de Potencial Completo (FP) de Onda Plana Aumentada Linealizada (LAPW) utilizando DFT (Teoría del Funcional de la Densidad) bajo el efecto de la presión para informar sobre la tendencia de la transición de fase en el presente compuesto. El compuesto se ha investigado hasta una presión de 9,068 GPa desde la condición ambiental. En este estudio, las propiedades estructurales cúbicas del compuesto propuesto se…mehr

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Produktbeschreibung
Se ha realizado una investigación computacional sobre las propiedades estructurales y electrónicas del compuesto de perovskita LaAlO3 utilizando el código WIEN2K por medio del método de Potencial Completo (FP) de Onda Plana Aumentada Linealizada (LAPW) utilizando DFT (Teoría del Funcional de la Densidad) bajo el efecto de la presión para informar sobre la tendencia de la transición de fase en el presente compuesto. El compuesto se ha investigado hasta una presión de 9,068 GPa desde la condición ambiental. En este estudio, las propiedades estructurales cúbicas del compuesto propuesto se analizan bajo presión y se inician con a = 7,2108 bohr perteneciente a los puntos cúbicos primitivos y 1000 K con RMT* KMax es 7. A partir del análisis de los perfiles de los histogramas de densidad de estado (DoS), se muestra evidentemente que el compuesto es un aislante por el incremento en la brecha de banda bajo la presión aplicada. La transición de fase estructural se produce a un valor de presión de 6,318 GPa y una compresión de volumen del 15% respecto a la condición ambiental. En este rango de presión, se produce un contorno cerrado alrededor de los átomos de La a Al y de La a O, lo que demuestra que la formación de enlaces covalentes entre los átomos mencionados puede aumentar la estabilidad del compuesto.
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Autorenporträt
Dr.D.S.Jayalakshmi trabalha como Professor Assistente no Departamento de Física no Instituto de Ciência e Tecnologia de Sathyabama. Publicou os seus resultados de investigação em muitas revistas de renome. O seu campo de interesses são os materiais supercondutores, materiais termoeléctricos, materiais magnéticos e spintrónicos.