J. Wosnik J. Wosnik

Transistoren bei großer Aussteuerung

• Broschiertes Buch

Produktbeschreibung

Der Fachtagung "Transistoren bei großer Aussteuerung", die vom Fachausschuß 3 "Halbleiter" der Nachrichtentechnischen Gesellchaft im VDE (NTG) vom 10. bis 13. April 1962 in Aachen veranstaltet wurde, ging eine Diskussionssitzung des Fachausschusses in Hamburg voraus, die ein so starkes Interesse erweckte, daß es dem Fachausschuß richtig erschien, die Hamburger Referate einem größeren Kreis, insbesondere unseren NTG-Mitgliedern, zugänglich zu machen. Das Vortrags programm wurde dann allerdings weitgehend umgestaltet und vor allem durch übersichtsvorträge von R. Wiesner, von W. Engbertund von H. P. Kleinknecht abgerundet. Selbstverständlich sollten die Aachener Vorträge möglichst rasch veröffentlicht werden. Durch die verständnisvolle Unterstüzung, die wir bei Herausgeber und Verlag der NTZ fanden, konn ten alle Vorträge in vier aufeinander folgenden Heften der NTZ (Juli bis Oktober 1962) er scheinen. In dem vorliegenden Band sind diese Aufsätze nochmals zusammengefaßt. Der Vortragvon F. Weitzsch, der ausführlich schon im Archiv für el. übertragung 16 (1962), 5.335-343 er schien, ist durch ein Referat vertreten; der Vortrag von D. Gossel wurde in erweiterter Form gebracht. So können wir hoffen, allen Wünschen unserer Fachkollegen und interessierten Leser gerecht geworden zu sein.

Produktdetails

• Nachrichtentechnische Fachberichte .27
• Verlag: Vieweg+Teubner / Vieweg+Teubner Verlag
• Artikelnr. des Verlages: 978-3-663-03173-4
• 1963
• Seitenzahl: 100
• Erscheinungstermin: 1. Januar 1963
• Deutsch
• Abmessung: 297mm x 210mm x 6mm
• Gewicht: 284g
• ISBN-13: 9783663031734
• ISBN-10: 366303173X
• Artikelnr.: 40784101

Inhaltsangabe

Das Verhalten des Transistors bei großer Aussteuerung.- Effekte in Mesatransistoren bei großer Stromdichte.- Vergleich von Verstärker- und Schalttransistoren.- Zur Frage der Sperrschichtberührung bei Transistoren.- Der Transistor als ladungsgesteuertes Bauelement.- Die Kenndaten des Schalttransistors.- Meßverfahren für Großsignal-Kenngrößen.- Sperrschichttemperaturen von Halbleiterbauelementen bei Impulsbetrieb.- Wärmeprobleme bei Transistoren im Impulsbetrieb.- Der Mitlaufeffekt und das thermische Ersatzschaltbild.- Multivibratorschaltungen mit Transistoren für extrem große kontinuierlich steuerbare Frequenzvariation.- Großsignalsinusverhalten von Legierungstransistoren bei hohen Frequenzen.- Transistorverstärker mit Impulsanstiegszeiten von weniger als 5 ns.