Maria Tchernycheva

TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DANS LES NANOSTRUCTURES DE NITRURES

PHYSIQUE DES TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DES HETEROSTRUCTURES DE GAN / ALN POUR L'OPTOELECTRONIQUE À 1,3 - 1,55 MICRON

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Produktbeschreibung

Dans les années 80-90 la physique et les applications des transitions intersousbandes ont connu un essor remarquable. Il reste aujourd'hui deux frontières à explorer: l'extension vers les grandes longueurs d'onde du domaine THz et celle vers le proche infrarouge. Pour atteindre le domaine spectral des télécommunications par fibre optique, il faut disposer d'hétérostructures présentant une discontinuité de potentiel élevée. Les hétérostructures de GaN/AlN ont une discontinuité de potentiel en bande de conduction voisine de 1,75 eV et sont aujourd'hui les candidats les plus sérieux pour le développement de composants optoélectroniques unipolaires à 1,3-1,55 micron. Ce travail porte sur une étude expérimentale et théorique des transitions intersousbandes dans des puits quantiques et boîtes quantiques de GaN/AlN.

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Produktdetails

• Verlag: Éditions universitaires européennes
• Seitenzahl: 200
• Erscheinungstermin: 26. Oktober 2010
• Französisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 12mm
• Gewicht: 316g
• ISBN-13: 9786131542374
• ISBN-10: 6131542376
• Artikelnr.: 32224398

Autorenporträt

Maria Tchernycheva a reçu le titre de docteur de l¿UniversitéParis Sud XI en 2005. Elle travaille actuellement comme chargé derecherche CNRS. Ses travaux portent sur l¿élaboration desdispositifs optoélectroniques à base de puits quantiques, boîtesquantiques et nanofils GaN/AlN.