Transport sous contrainte me¿canique pour la microélectronique CMOS
Modélisation pour les transistors sub-65nm
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La course à la miniaturisation des transistors MOS implique de nouvelles technologies d'amélioration des performances. L'ingénierie de contrainte mécanique est aujourd'hui devenue une étape incontournable. Les objectifs de ce travail sont de modéliser les dispositifs des prochains n uds technologiques et de quantifier l'impact de la contrainte mécanique. La mobilité est le facteur exploité pour quantifier les performances et l'un des paramètres clés des simulateurs commerciaux. Ici, le concept de mobilité effective et de mobilité de magnétorésistance dans les MOS courts est anal...
La course à la miniaturisation des transistors MOS implique de nouvelles technologies d'amélioration des performances. L'ingénierie de contrainte mécanique est aujourd'hui devenue une étape incontournable. Les objectifs de ce travail sont de modéliser les dispositifs des prochains n uds technologiques et de quantifier l'impact de la contrainte mécanique. La mobilité est le facteur exploité pour quantifier les performances et l'un des paramètres clés des simulateurs commerciaux. Ici, le concept de mobilité effective et de mobilité de magnétorésistance dans les MOS courts est analysé et le rôle prépondérant des effets non stationnaires est identifié et quantifié par des modèles avancés. Grâce au simulateur Monte Carlo MONACO, l'influence de la contrainte sur la structure de bandes et ses répercussions sur le transport sont étudiées. En bande de valence, la mobilité reste représentative des performances. L'impact de la contrainte sur la mobilité des trous est étudiée par le biais d'expériences de flexion mécanique. Grâce des calculs de mobilité Kubo-Greenwood, les tendances sont expliquées par les forts couplages existants entre les effets de contrainte et de confinement des trous.
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