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Il fagiolo a grappolo (guar) è un'importante coltura di legumi aridi del paese. Oggi, sta guadagnando importanza come coltura industriale grazie alla presenza di galattomannano nel seme. La coltura affronta generalmente condizioni di stress da umidità al momento della semina, della comparsa delle piantine e della crescita della pianta. Se il seme innescato viene seminato sul campo, allora può tollerare il problema dello stress da umidità in una certa misura, in particolare durante le fasi iniziali della germinazione e della crescita della pianta, e aiuta a stabilire un ottimo popolamento. Il…mehr

Produktbeschreibung
Il fagiolo a grappolo (guar) è un'importante coltura di legumi aridi del paese. Oggi, sta guadagnando importanza come coltura industriale grazie alla presenza di galattomannano nel seme. La coltura affronta generalmente condizioni di stress da umidità al momento della semina, della comparsa delle piantine e della crescita della pianta. Se il seme innescato viene seminato sul campo, allora può tollerare il problema dello stress da umidità in una certa misura, in particolare durante le fasi iniziali della germinazione e della crescita della pianta, e aiuta a stabilire un ottimo popolamento. Il miglioramento della germinazione dei semi e il potenziale di vigore contribuiscono a un migliore insediamento della coltura e alla resa dei semi. I risultati del presente studio hanno rivelato che tra i vari trattamenti di adescamento, i trattamenti T1 (H-D), T6 (KNO3, 0,5%) e T8 (cultura Pseudomonas) hanno migliorato la germinazione standard (6.66-12. 66%) in lotti di semi di buona qualità (L1) della varietà HG-365, mentre i trattamenti T3 (GA3, 50ppm), T5 (PEG-6000) e T7 (cultura Rhizobium) hanno migliorato la percentuale di germinazione (6,67-11,00%) in lotti di semi di buona qualità della varietà HG-563. Inoltre, nessuno dei trattamenti ha migliorato la germinazione in modo efficace rispetto al controllo nei lotti di semi marginali di entrambe le varietà.
Autorenporträt
O Dr. Arun Kumar é professor Asst. no Departamento de ECE na Universidade JECRC, Jaipur, ÍNDIA. Concluiu o seu B.E. em Electrónica e Comunicação pela Universidade Tecnológica de Viseswarah, Bangalore, no ano de 2009. Recebeu o seu M. Tech. Investigação da Universidade Global TECHNO no ano de 2013. Foi-lhe concedido o doutoramento pela Universidade do JECRC.