Étude de SnO2 dopé par des métaux de transition - BELOUFA, Nabil
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Dans ce travail, les propriétés structurelles et optoélectroniques des alliages ScxSn1-xO2 et YxSn1-xO2avec (x = 0, 0.0416, 0.0625 et 0.125) sont étudiées en utilisant la méthode du premier principe avec l'onde plane augmentée linéarisée à potentiel complet (FP-LAPW) telle qu'implémentée dans le code WIEN2k Les résultats révèlent qu'en dopant le SnO2 avec du Sc, les bandes interdites sont élargies et restent directes à . En substituant les impuretés Sc, le niveau de Fermi est déplacé dans la bande de valence en raison de l'orbitale 3d-Sc produisant un semi-conducteur de type p. La réponse…mehr

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Produktbeschreibung
Dans ce travail, les propriétés structurelles et optoélectroniques des alliages ScxSn1-xO2 et YxSn1-xO2avec (x = 0, 0.0416, 0.0625 et 0.125) sont étudiées en utilisant la méthode du premier principe avec l'onde plane augmentée linéarisée à potentiel complet (FP-LAPW) telle qu'implémentée dans le code WIEN2k Les résultats révèlent qu'en dopant le SnO2 avec du Sc, les bandes interdites sont élargies et restent directes à . En substituant les impuretés Sc, le niveau de Fermi est déplacé dans la bande de valence en raison de l'orbitale 3d-Sc produisant un semi-conducteur de type p. La réponse optique montre une faible absorption, une réflectivité et un décalage vers le bleu de la transmittance optique dans le SnO2 dopé au Sc en raison de l'augmentation de la bande interdite, selon l'effet Burstein-Moss. Nos résultats révèlent que le SnO2 dopé au Sc pourrait être utile pour des applications conductrices transparentes.Les résultats montrent que par le dopage Y du SnO2, les bandes interdites sont élargies, et toujours directes au point . Le niveau de Fermi se déplace dans la bande de valence et présente un caractère de semi-conducteur de type p dû principalement à l'orbitale 4d-Y.
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Autorenporträt
Nabil BELOUFA, né le 11 Juin 1990 - Mediouna, Docteur en Physique. J'ai été membre du projet CNEPRU : "Prédiction et simulation des propriétés de nanomatériaux pour des applications optoélectroniques".