Vincent Giraud

Étude des phénomènes électrothermiques

Lies à l¿amorphisation et à la cristallisation d¿un matériau à changement de phase pour application aux memoires non volatiles

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Produktbeschreibung

Les mémoires PC-RAM intègrent entre deux électrodes un matériau à changement de phase, le chalcogénure Ge2Sb2Te5, qui peut basculer réversiblement entre un état amorphe résistif (OFF) et un état cristallin conducteur (ON). Le but de la thèse est d'étudier les phénomènes électrothermiques intervenant lors de l'amorphisation et la cristallisation. Nous caractérisons les différences thermiques et électriques des deux phases, notamment par la mesure de leur conductivité thermique (méthode 3 ), et par le tracé des caractéristiques électriques I(V). Nous étudions également en détail les mécanismes de la transition OFF ON, pour laquelle nous mettons en évidence la formation d'un filament amorphe conducteur instable. Nous présentons les résultats des tests dynamiques effectués sur nos cellules microniques et submicroniques. Enfin, nous analysons quelques modélisations et simulations numériques, en montrant la difficulté expérimentale à éviter la fusion lors du processus de cristallisation.

Produktdetails

• Verlag: Éditions universitaires européennes
• Aufl.
• Seitenzahl: 224
• Erscheinungstermin: 1. März 2011
• Französisch
• Abmessung: 220mm x 150mm x 14mm
• Gewicht: 352g
• ISBN-13: 9786131562969
• ISBN-10: 6131562962
• Artikelnr.: 34524740

Autorenporträt

Vincent GIRAUD est né le 12/08/79. Il obtient en 2002 un diplôme d'Ingénieur à l¿INP de Grenoble, ainsi qu'un DEA en Sciences et Génie des Matériaux. De 2002 à 2005, il prépare une Thèse de l'UJF en Micro et Nano Electronique au sein du CEA-LETI à Grenoble. Il est actuellement Directeur d'une société de Valence, spécialisée dans la Métrologie.