32,99 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in 1-2 Wochen
payback
16 °P sammeln
  • Broschiertes Buch

Прогресс в области электронных технологий и инновационные производственные процессы привели к тому, что полупроводниковая промышленность стала стремиться к миниатюризации и все большей интеграции чипов. Одним из следствий этой устойчивой эволюции стал рост относительной стоимости доступа к внечиповым компонентам, причем внешняя память является одним из доминирующих факторов. Во встраиваемых системах и приложениях, где энергопотребление и стоимость являются чрезвычайно важными факторами, использование памяти на кристалле Scratch Pad Memories (SPM) оказалось хорошей альтернативой кэшу. SPM более…mehr

Produktbeschreibung
Прогресс в области электронных технологий и инновационные производственные процессы привели к тому, что полупроводниковая промышленность стала стремиться к миниатюризации и все большей интеграции чипов. Одним из следствий этой устойчивой эволюции стал рост относительной стоимости доступа к внечиповым компонентам, причем внешняя память является одним из доминирующих факторов. Во встраиваемых системах и приложениях, где энергопотребление и стоимость являются чрезвычайно важными факторами, использование памяти на кристалле Scratch Pad Memories (SPM) оказалось хорошей альтернативой кэшу. SPM более эффективны, чем кэши на кристалле, по целому ряду аспектов, включая энергопотребление, рассеиваемую мощность, скоростные характеристики, площадь и предсказуемость времени. Однако в то же время они требуют явного управления на программном уровне. В частности, производительность системы зависит от схемы оверлея для отображения кода и данных на ограниченные по размеру СПМ. Было обнаружено, что для приложений с большим объемом кода накладные расходы становятся значительными. В данной работе ставится задача оценить и реализовать предварительную выборку как метод повышения производительности СПМ.
Hinweis: Dieser Artikel kann nur an eine deutsche Lieferadresse ausgeliefert werden.
Autorenporträt
Awtor, Nikhil Ghadge, ranee uchilsq w aspiranture.