Andere Kunden interessierten sich auch für
![UNA HERRAMIENTA DE ESTRUCTURA ELECTRÓNICA PARA PRINCIPIANTES]( "UNA HERRAMIENTA DE ESTRUCTURA ELECTRÓNICA PARA PRINCIPIANTES")
UNA HERRAMIENTA DE ESTRUCTURA ELECTRÓNICA PARA PRINCIPIANTES36,99 €![UNO STRUMENTO DI STRUTTURA ELETTRONICA PER PRINCIPIANTI]( "UNO STRUMENTO DI STRUTTURA ELETTRONICA PER PRINCIPIANTI")
UNO STRUMENTO DI STRUTTURA ELETTRONICA PER PRINCIPIANTI33,99 €![FUNÇÕES DE ESTRUTURA GLUÓNICA DEPENDENTES DO SPIN E EQUAÇÕES DE EVOLUÇÃO DO GLDAP]( "FUNÇÕES DE ESTRUTURA GLUÓNICA DEPENDENTES DO SPIN E EQUAÇÕES DE EVOLUÇÃO DO GLDAP")
FUNÇÕES DE ESTRUTURA GLUÓNICA DEPENDENTES DO SPIN E EQUAÇÕES DE EVOLUÇÃO DO GLDAP29,99 €![UN OUTIL DE STRUCTURE ÉLECTRONIQUE POUR LES DÉBUTANTS]( "UN OUTIL DE STRUCTURE ÉLECTRONIQUE POUR LES DÉBUTANTS")
UN OUTIL DE STRUCTURE ÉLECTRONIQUE POUR LES DÉBUTANTS33,99 €![Ferramentas computacionais para explorar e criar uma base de dados de novos materiais]( "Ferramentas computacionais para explorar e criar uma base de dados de novos materiais")
Ferramentas computacionais para explorar e criar uma base de dados de novos materiais29,99 €![Estrutura de defeitos topológicos em modelos multi seno-Gordon]( "Estrutura de defeitos topológicos em modelos multi seno-Gordon")
Estrutura de defeitos topológicos em modelos multi seno-Gordon26,99 €![Estrutura Eletrônica de Anéis Quânticos]( "Estrutura Eletrônica de Anéis Quânticos")
Estrutura Eletrônica de Anéis Quânticos23,99 €
O condutor, semicondutor (band gap direto e indireto) e isolante desempenham um papel importante nas áreas de investigação de Física e Materiais. Quase todos os materiais possuem algum tipo de propriedade eletrónica. Realizamos o cálculo para estudar a estrutura de bandas e a Densidade de Estado (DoS) utilizando o código WIEN no Método da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Neste trabalho é realizado o cálculo da estrutura de bandas para o manganês (Mn), silício (Si) - band gap indirecto, índio fósforo (In-P) band gap directo e bromo (Br) que concordam estreitamente com os resultados experimentais disponíveis. Além disso, a partir do estudo da Densidade de Estado total e parcial do Mn, vSi, In-P e Br observa-se que os materiais são Condutor, Semicondutor (gap de banda indireto e direto) e Isolador. Inicialmente a estrutura é otimizada com os parâmetros de rede existentes e as propriedades eletrónicas são determinadas para a estrutura otimizada. O perfil da banda e os histogramas de DoS sugerem a mobilidade dos eletrões da banda de valência para a banda de condução. A lacuna de energia existente/não existente entre a banda de valência e a banda de condução é explorada na natureza condutora dos materiais reportados.