Uma Implementação de Portão Universal de Alto Desempenho de Baixa Potência - Sharma, Geetanjali
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Foi apresentada uma nova técnica de redução de potência chamada Voltage Scaling Stacked Transistor (VS-STACK). A técnica proposta foi comparada com algumas das técnicas de redução de potência existentes. O resultado mostra uma quantidade colossal de redução no consumo de energia para a porta NOR de 2input. O consumo de energia é reduzido em 20% a 90%. Além disso, há uma tremenda melhoria no produto de retardamento de potência. Por conseguinte, esta técnica pode ser utilizada para circuitos de alta velocidade. O circuito funciona na região do subthreshold, que é adequada para aplicações que requerem um consumo de energia extremamente baixo.…mehr

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Produktbeschreibung
Foi apresentada uma nova técnica de redução de potência chamada Voltage Scaling Stacked Transistor (VS-STACK). A técnica proposta foi comparada com algumas das técnicas de redução de potência existentes. O resultado mostra uma quantidade colossal de redução no consumo de energia para a porta NOR de 2input. O consumo de energia é reduzido em 20% a 90%. Além disso, há uma tremenda melhoria no produto de retardamento de potência. Por conseguinte, esta técnica pode ser utilizada para circuitos de alta velocidade. O circuito funciona na região do subthreshold, que é adequada para aplicações que requerem um consumo de energia extremamente baixo.
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Autorenporträt
Geetanjali Sharma ha 12 anni di esperienza di insegnamento e ricerca nel campo dell'elettronica e delle comunicazioni e della progettazione VLSI. Ha all'attivo diverse pubblicazioni in riviste e conferenze internazionali nel campo della progettazione VLSI.