UN OUTIL DE STRUCTURE ÉLECTRONIQUE POUR LES DÉBUTANTS - Jayalakshmi, D. S.;MANOJ, R.
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Français Le conducteur, le semi-conducteur (bande interdite directe et indirecte) et l'isolant jouent un rôle important dans les domaines de recherche en physique et en matériaux. Presque tous les matériaux ont une sorte de propriétés électroniques. Nous avons effectué le calcul pour étudier la structure de bande et la densité d'état (DoS) en utilisant le code WIEN dans la méthode de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). Dans ce travail, le calcul de la structure de bande est effectué pour le manganèse (Mn), la bande interdite indirecte du silicium (Si), la bande interdite directe du…mehr

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Produktbeschreibung
Français Le conducteur, le semi-conducteur (bande interdite directe et indirecte) et l'isolant jouent un rôle important dans les domaines de recherche en physique et en matériaux. Presque tous les matériaux ont une sorte de propriétés électroniques. Nous avons effectué le calcul pour étudier la structure de bande et la densité d'état (DoS) en utilisant le code WIEN dans la méthode de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). Dans ce travail, le calcul de la structure de bande est effectué pour le manganèse (Mn), la bande interdite indirecte du silicium (Si), la bande interdite directe du phosphore d'indium (In-P) et le brome (Br) qui concordent étroitement avec les résultats expérimentaux disponibles. De plus, à partir de l'étude de la densité d'état totale et partielle de Mn, vSi, In-P et Br, il est observé que les matériaux sont conducteurs, semi-conducteurs (bande interdite indirecte et directe) et isolants. Dans un premier temps, la structure est optimisée avec les paramètres de réseau existants et les propriétés électroniques sont déterminées pour la structure optimisée. Le profil de bande et les histogrammes DoS suggèrent la mobilité des électrons de la bande de valence à la bande de conduction. L'écart énergétique existant/non existant entre la bande de valence et la bande de conduction est exploré et la nature conductrice des matériaux rapportés.
Autorenporträt
D.S.JAYALAKSHMI a travaillé sur le calcul de la structure des bandes dans le SIST. Elle a publié près de 40 publications réputées et 4 brevets. Elle a été VSP de l'INSA en 2023-2024. Elle s'intéresse vivement à l'étude de la physique computationnelle de la matière condensée.