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El conductor, semiconductor (banda prohibida directa e indirecta) y aislante desempeñan un papel importante en los campos de investigación de la Física y los Materiales. Casi todos los materiales tienen algún tipo de propiedades electrónicas. Hemos realizado el cálculo para estudiar la estructura de banda y la densidad de estado (DoS) utilizando el código WIEN en el método de la teoría funcional de la densidad (DFT). En este trabajo, se realiza el cálculo de la estructura de banda para manganeso (Mn), banda prohibida indirecta de silicio (Si), banda prohibida directa de indio fósforo (In-P) y bromo (Br), que concuerdan estrechamente con los resultados experimentales disponibles. Además, a partir del estudio de la densidad de estado total y parcial de Mn, vSi, In-P y Br, se observa que los materiales son conductores, semiconductores (banda prohibida indirecta y directa) y aislantes. Inicialmente, la estructura se optimiza con los parámetros de red existentes y se determinan las propiedades electrónicas para la estructura optimizada. El perfil de banda y los histogramas DoS sugieren la movilidad de los electrones desde la banda de valencia a la banda de conducción. Se explora la brecha de energía existente/inexistente entre la banda de valencia y la de conducción según la naturaleza conductora de los materiales informados.
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