UNO STRUMENTO DI STRUTTURA ELETTRONICA PER PRINCIPIANTI
Analisi teorica della struttura a bande del conduttore, dell'isolante semiconduttore
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Il conduttore, il semiconduttore (banda gap diretta e indiretta) e l'isolante svolgono un ruolo importante nei campi di ricerca della fisica e dei materiali. Quasi tutti i materiali hanno qualche tipo di proprietà elettronica. Abbiamo eseguito il calcolo per studiare la struttura a bande e la densità di stato (DoS) utilizzando il codice WIEN nel metodo della teoria funzionale della densità (DFT). In questo lavoro, il calcolo della struttura a bande viene eseguito per manganese (Mn), silicio (Si)-banda gap indiretta, indio fosforo (In-P) banda gap diretta e bromo (Br) che concordano strettam...
Il conduttore, il semiconduttore (banda gap diretta e indiretta) e l'isolante svolgono un ruolo importante nei campi di ricerca della fisica e dei materiali. Quasi tutti i materiali hanno qualche tipo di proprietà elettronica. Abbiamo eseguito il calcolo per studiare la struttura a bande e la densità di stato (DoS) utilizzando il codice WIEN nel metodo della teoria funzionale della densità (DFT). In questo lavoro, il calcolo della struttura a bande viene eseguito per manganese (Mn), silicio (Si)-banda gap indiretta, indio fosforo (In-P) banda gap diretta e bromo (Br) che concordano strettamente con i risultati sperimentali disponibili. Inoltre, dallo studio della densità di stato totale e parziale di Mn, vSi, In-P e Br si osserva che i materiali sono conduttore, semiconduttore (banda gap indiretta e diretta) e isolante. Inizialmente la struttura viene ottimizzata con i parametri reticolari esistenti e le proprietà elettroniche vengono determinate per la struttura ottimizzata. Il profilo di banda e gli istogrammi DoS suggeriscono la mobilità degli elettroni dalla banda di valenza alla banda di conduzione. Viene esplorato il divario energetico esistente/inesistente tra la banda di valenza e quella di conduzione, in relazione alla natura conduttiva dei materiali segnalati.
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