UNTERDRÜCKUNG DER STÖRAUSSENDUNG IN HOCHGESCHWINDIGKEITS-LEITERPLATTEN - Malaiarasan, Anandan;Packianathan, Rajeswari;Arumugam, Gobinath
39,90 €
inkl. MwSt.
Versandkostenfrei*
Versandfertig in über 4 Wochen
  • Broschiertes Buch

Die jüngsten Fortschritte in der drahtlosen Kommunikation und der Halbleitertechnologie führten zu einer Miniaturisierung der Schaltkreise, einer höheren Bandbreite und einer schnelleren Geschwindigkeit. Um die enorme Nachfrage nach niedrigen Kosten und kleinerer Funktionsgröße zu befriedigen, müssen Chips und Übertragungsleitungen auf begrenztem Raum in einer Leiterplatte integriert werden, was zu Problemen mit der Signalintegrität führt. Signalintegrität ist das Maß für die Qualität des elektrischen Signals. Das Signal, das in einem Interconnect fließt, koppelt mit den benachbarten…mehr

Andere Kunden interessierten sich auch für
Produktbeschreibung
Die jüngsten Fortschritte in der drahtlosen Kommunikation und der Halbleitertechnologie führten zu einer Miniaturisierung der Schaltkreise, einer höheren Bandbreite und einer schnelleren Geschwindigkeit. Um die enorme Nachfrage nach niedrigen Kosten und kleinerer Funktionsgröße zu befriedigen, müssen Chips und Übertragungsleitungen auf begrenztem Raum in einer Leiterplatte integriert werden, was zu Problemen mit der Signalintegrität führt. Signalintegrität ist das Maß für die Qualität des elektrischen Signals. Das Signal, das in einem Interconnect fließt, koppelt mit den benachbarten Interconnects durch elektromagnetische Kopplung, was das Timing und die Qualität des Signals beeinflussen kann. Das vorherrschende Problem der Signalintegrität ist die Störaussendung. Die unbeabsichtigte Freisetzung von elektromagnetischer Energie durch Interconnects wird als gestrahlte Emission bezeichnet. Die wichtigste Quelle für gestrahlte Emission ist ein Gleichtaktstrom. Die defekte Erdungsstruktur (DGS) ist der richtige Kandidat zur Unterdrückung von Gleichtaktstrahlung auf Hochgeschwindigkeitsleiterplatten.
Autorenporträt
Dr.M.Anandan, Profesor Asistente del Departamento de ECE de Vel Tech Rangarajan Dr. Sagunthala R&D Institute of Science and Technology, Chennai, obtuvo su B.E., grado de la Universidad de Madurai Kamaraj, Madurai y M.E. grado de la Universidad Anna, Chennai. Tiene más de 10 años de experiencia docente. Completó su doctorado en la Universidad Anna, Chennai.