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La fuerte caída de tensión y la contaminación por radiación son un obstáculo para las instalaciones de alimentación de baja tensión y de nivel intermedio, como los semiconductores ópticos, el almacenamiento de datos y los equipos de precisión, como los productos farmacéuticos y la industria farmacéutica, en los que interviene la radiación. A medida que aumenta el voltaje y la economía, además de volverse más lentos y difíciles de mantener, los equipos actuales necesitan tener una mayor capacidad energética. logrando enlaces bipartitos para el funcionamiento bipartito en una aplicación de…mehr

Produktbeschreibung
La fuerte caída de tensión y la contaminación por radiación son un obstáculo para las instalaciones de alimentación de baja tensión y de nivel intermedio, como los semiconductores ópticos, el almacenamiento de datos y los equipos de precisión, como los productos farmacéuticos y la industria farmacéutica, en los que interviene la radiación. A medida que aumenta el voltaje y la economía, además de volverse más lentos y difíciles de mantener, los equipos actuales necesitan tener una mayor capacidad energética. logrando enlaces bipartitos para el funcionamiento bipartito en una aplicación de suministro de energía en condiciones de voltaje medio. El primer paso, seguido del estudio de un circuito equivalente trifásico y un modelo matemático, revela el mecanismo subyacente de la supresión de armónicos y el control de la tensión combinados con el desfase de la secuencia y la derivación HAPF para la síntesis de fase continua (CPS) y los diferentes controles discretos y CPS (p-p/Transformada de Fourier discreta y filtrado digital en modo diferencial se consideran para la serie, que utiliza el bucle de bloqueo de fase de fourier deslizante y se implementa su capacidad de derivación sincrónica. A continuación, se analizan el filtro en serie L-C y los circuitos pasivos de doble resonancia (PDR), junto con los componentes clave del diseño, el circuito inductor en serie (LL), el paso bajo pasivo PDR y el diseño del circuito pasivo de doble resonancia para aplicar el filtrado inductivo.
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Autorenporträt
Ch. Rami Reddy erhielt 2011 den B. Tech und 2014 den M. Tech-Abschluss in EEE. Er reichte seine Doktorarbeit an der K L University India im Jahr 2020 ein und arbeitet derzeit als Assistenzprofessor für Elektrotechnik und Elektronik am Malla Reddy Engineering College (A), Maisammaguda, Secunderabad, Telangana, Indien 500100.