Rassmotreny metody i principy postroeniqmnogokanal'nyh uprawlqemyh SVCh ustrojstw wysokogourownq moschnosti, wypolnennyh s ispol'zowaniemkommutacionnyh diodow i tranzistorow.Sformulirowana obobschennaq koncepciq postroeniqmnogokanal'nyh uprawlqemyh SVCh ustrojstw. Na osnowefiziko-topologicheskogo podhoda razrabotanymatematicheskie modeli poluprowodnikowyh uprawlqüschihälementow dlq nelinejnogo analiza metodomgarmonicheskogo balansa. Razwitwektorno-parametricheskij metod rascheta mezhälektrodnyhemkostej uprawlqüschih älementow. Predstawleny metodysinteza soglasuüsche-korrektiruüschih cepej wsosredotochennom i raspredelennom bazisah.Priwedeny rezul'taty äxperimental'nogo issledowaniqshirokopolosnyh ustrojstw uprawleniq amplitudoj i fazoj wysokochastotnyh signalow decimetrowogo isantimetrowogo diapazonow wysokogo urowenq moschnosti.
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