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Hay muchas bandas de frecuencias amplias y sin asignar en las frecuencias de sub-terahercios (por encima de 100 GHz) que resultan atractivas para las aplicaciones de banda ancha. El potencial de este hueco de terahercios sin licencia y no utilizado en el espectro entre las microondas y el espectro óptico, como el enorme ancho de banda, el tamaño muy pequeño, las velocidades de datos muy elevadas para aplicaciones de comunicación inalámbrica chip a chip y la menor posibilidad de interferencias externas es un reto no sólo para las aplicaciones espaciales, sino también para las de defensa. Los puntos débiles de los tubos de vacío (voluminosos y discretos) pueden superarse si los tubos de vacío se fabrican con tecnologías de nanofabricación de silicio y el mecanismo de funcionamiento pasa de la emisión termoiónica a la emisión de campo. Este trabajo de fin de carrera presenta el diseño de investigación, utilizando las herramientas de software adecuadas, de un transistor de canal de vacío de 150 nm. Este transistor funciona a una frecuencia por encima del espectro de microondas y por debajo del espectro óptico, es decir, entre 100 GHz y 3 THz, utilizando el proceso tradicional de silicio.
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